Выдающиеся люди

Басов Николай Геннадиевич

Родился 14 декабря 1922 года в деревне Усмань под Воронежем в семье профессора Лесного института.

В 1952 году Николай Геннадиевич занял пост заместителя директора Физического Института Академии Наук СССР.

В 1959 году совместно с Александром Михайловичем Прохоровым получает Ленинскую премию за исследования по созданию молекулярных осцилляторов и парамагнитных усилителей.

С 1961 года Николай Геннадьевич занимался (совместно с В. С. Зуевым, П. С. Кринковым, В. С. Летоховым и другими) проблемами получения мощного излучения.

В 1962 году совместно с О. Н. Крохиным исследовал возможности применения лазеров для получения термоядерной плазмы.

В 1962 году Басов становится членом-корреспондентом Академии Наук СССР.

В 1963 году принял участие в создании первого полупроводникового лазера на арсениде галлия (GaAs). В этом же году он участвует в работе по оптоэлектронике. Ее результатом стало создание быстродействующих элементов на основе диодных лазеров.

В 1964 году Николай совместно О. В. Богданкевичем и А. Н. Девятковым создал полупроводниковый лазер с электронной накачкой. Чуть позже, совместно с А. З. Грасюком и В. А. Катулиным, с оптической накачкой.

В 1966 году Николай Геннадиевич Басов становится действительным членом Академии Наук СССР.

Был награжден Нобелевской премию по физике за разработку принципа действия лазера и мазера, совместно с П. Г. Кринковым и Ю. В. Сенатским разработал лазер на неодимовом стекле. Этот лазер выдавал 30 джоулей в импулсе длительностью 2E-11 секунды. Обнаружил эмиссию электронов дейтериевой плазмой, полученной с помощью лазера. Вместе с В. С. Летоховым Николай Басов предложил теорию формирования пикосекундных импульсом, а с А. Н. Ораевским — способ термической накачки. Этот метод привел к созданию газодинамических лазеров, представил экспериментальные доказательства ускорения химических реакций инфракрасным лазерным излучением, совместно с П. Г. Крюковым, Ю. В. Сенатским и С.Д. Захаровым, обнаружил эмиссию электронов дейтериевой плазмой, полученной с помощью лазера. Вместе с В. С. Летоховым Басов Н.Г. предложил теорию формирования пикосекундных импульсом, а с А. Н. Ораевским — способ термической накачки. Этот метод привел к созданию газодинамических лазеров.

В 1970 годах он продолжал работать над химическими лазерами. Под его руководством был построен лазер на смеси дейтерия, фтора и диоксида углерода.

В 1971 году совместно с Г. В. Склизковым, разработал многочастотные лазеры, которые могли выдавать до 103 джоулей в импульсе длительностью 1E-9 секунды.

В 1973 году Николай Геннадиевич занял пост директора Физического Института Академии Наук СССР.

Басов был вице-председателем исполнительного совета Всемирной федерации научных работников, членом Советского комитета защиты мира, Всемирного Совета Мира. Басов работал главным редактором научно-популярных журналов «Квантовая электроника» и «Природа», был членом редколлегии журнала «Il Nuovo Cimento». Николай Геннадиевич Басов — дважды Герой Социалистического труда. Он награждён золотой медалью Чехословацкой Академии Наук. Басов состоял членом Болгарской, Польской, Чехословацкой, Французской и Немецкой Академий Наук. Басов являлся иностранным членом Немецкой академии естествоиспытателей «Леопольдина», Шведской королевской академии инженерных наук, Американского оптического общества.